本論文以溶膠凝膠法製備透明導電ITO 薄膜,並探討熱處理與雷射處理之ITO 薄膜。實驗使用無水氯化銦與四氯化錫做為前驅物,探討分別使用乙醯丙酮與異丙醇兩種溶劑之結果,在回流裝置下加熱至70 度持溫3 小時,並與氯化銦溶液均勻混合,完成溶膠凝膠前驅液(precursor solution)的製備。在熱處理下,藉由異丙醇取代乙醯丙酮做為溶劑下可將電阻率從4.5x10-2 Ω-cm 降至1.6x10-2Ω-cm,在550nm 光波長下膜厚為100nm 之ITO 薄膜穿透率達90%。 本論文亦利用KrF 準分子雷射(波長248nm)低溫退火技術分別於玻璃與PES塑膠基板上嘗試製作ITO 薄膜。在玻璃基板上,雷射能量56mJ/cm2 發數28 發下有最低片電阻190Ω,電阻率1.79x10-2Ω・cm,穿透率在波長550nm 達87%(膜厚210nm)。而在塑膠基板上,雷射能量50 mJ/cm2 發數280 發下有最低片電阻750Ω,電阻率4.4 x10-2Ω・cm,穿透率在波長550nm 達81%(膜厚110~150nm)。並且從化學分析電子光譜儀(ESCA)分析中發現,烤乾溫度260 度下的碳含量在碳氧銦錫四種元素中佔10~15%,而烤乾溫度200 度下則占了23~52%。