面射型雷射自80年代開始研究之後,直至目前應用方面已逐漸成為光纖通訊的重要光源,因為其低臨界電流、圓形光束、製程方便等等。而對於高功率方面的研究一直是各研究單位努力的方向之一,要達到單一模態且高功率的效果是種挑戰。 而本論文研究主要探討如何製作出穩定的單一模態面射型雷射,主要朝著氧化侷限的製程研究,本文另利用離子佈植方式來做比較,比較特別的製程為利用鋅擴散製作光的吸收層,藉此抑制多模態的發生。而另一項優點是可以降低面射型雷射P型布拉格反射鏡(p-type Distributed Bragg Reflector)的串聯電阻,繼而延長面射型雷射的生命期。基於此我們已成功研發出輸出功率為7.6mW之高功率面射型雷射,其臨界電流也可降至1.4mA,操作電阻更降為80Ω左右,SMSR更有35dB至40dB的表現,甚至自臨界電流到超過飽和電流,皆呈現非常穩定的單一基本模態的情況。種種表現更顯出以鋅擴散配合氧化製程所製作出的面射型雷射元件優於其他各種製程所製作出來的元件。