從二十世紀初,許多重要的半導體製程技術陸續被開發出來;同時,隨著自動化工業技術的日趨成熟,不僅改善製程元件的可靠度,亦把半導體工業也帶入了另一個紀元。然而,所有的製程技術的發展通常多著墨於矽半導體的材料特性的研究;近幾年來,國內光電產業的產值逐年急遽增加,關於化合物半導體特性的研究才陸續被深入探討與研究。 半導體工業的持續成長,製程成本與研發經費的控管扮演著一個關鍵性的角色,然而雷射二極體元件的生產良率卻因III-V族化合物材料製程技術不穩定而無法提升,不僅增加了製造成本,也間接降低了企業的競爭力。本論文的研究目的係為有效地提高雷射二極體元件可靠度,並以III-V族化合物材料成分組成的垂直共振腔面射型雷射元件作為研究對象,將特別針對雷射二極體元件基本結構及運作原理,進行個別的製程研究與探討,期以能提供相關的結果與經驗,運用在各類雷射二極體元件的製作。