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學位論文
汲極輕摻雜結合場板之複晶矽薄膜電晶體特性模擬與分析
Simulation and Analysis of Polysilicon Thin Film Transistor Characteristics with LDD and change Field Plate Design
黃裕宸(Yu-Chen Huang)
指導教授 :
楊炳章
逢甲大學/資電學院/電子工程學系/碩士(2018年)
https://doi.org/10.6341/fcu.M0507929
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薄膜電晶體
;
場板技術
;
抬升式汲源極結構
;
輕摻雜汲源極結構
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無資料
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thin film transistors (TFTs)
;
raised source drain (RSD) structure
;
field-plate technology
;
lightly-doped-drain (LDD) structure
延伸閱讀
顏立奇(2016)。
場板結合抬升式源汲極與汲極輕摻雜之複晶矽薄膜電晶體特性模擬與分析
〔碩士論文,逢甲大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6341/fcu.M0328699
Yang, P. C. (2008).
低溫多晶矽薄膜電晶體與軟性電子之研製與分析
[doctoral dissertation, National Taiwan University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6342/NTU.2008.10404
賴德全(2015)。
鐵電層負電容場效電晶體之模擬與特性分析
〔碩士論文,國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2015.10198
Wang, T. M. (2007).
具薄型閘極介電層之矽基金氧半電容元件之特性研究 暨溫度感測應用
[doctoral dissertation, National Taiwan University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6342/NTU.2007.00401
羅梓豪(2016)。
Simulation and Analysis of High Performance Double-Channel Poly-Silicon Thin Film Transistor with LDD and RSD Design
〔碩士論文,逢甲大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6341/fcu.M0362182
國際替代計量
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