透過您的圖書館登入
IP:18.221.146.223
登入
登出
透過您的圖書館登入
透過您的圖書館登入
登入
登出
出版品瀏覽
幫助
授權華藝
IP:18.221.146.223
繁體中文
English
简体中文
精確檢索 : 冠狀病毒
模糊檢索 : 冠狀病毒
冠狀病毒感染
冠狀病毒疾病
查詢出版品: 冠狀病毒
進階查詢
查詢歷史
主題瀏覽
【下載完整報告】AI熱潮從學術研究也能看出端倪?哪些議題是2023熱搜議題?
學位論文
溝槽式分離閘極功率金氧半場效電晶體結構及其結構概念設計超高崩潰耐壓複晶矽薄膜電晶體
Trench Split-Gate Power MOSFET Structure and Design Ultra High Breakdown Voltage Poly-Si TFT by Trench Split-gate Structure Concept
吳孟源(MENG-YUAN WU)
指導教授 :
鄭經華
;
簡鳳佐
逢甲大學/資電學院/電子工程學系/碩士(2019年)
https://doi.org/10.6341/fcu.M0623524
若您是本文的作者,可
授權文章
由華藝線上圖書館中協助推廣。
引用
分享
收藏
未授權
摘要
無資料
關鍵字
複晶矽薄膜電晶體
;
元件不理想效應
;
溝槽式分離閘極功率金氧半電晶體
;
元件模擬軟體(ISE-TCAD)
並列摘要
無資料
並列關鍵字
Poly-Si TFT
;
undesirable effects
;
Trench split-gate Power MOSFET
;
ISE-TCAD
延伸閱讀
卓裕翔(2019)。
新式四道光罩底閘極複晶矽薄膜電晶體之設計及高壓平面閘極溝槽源極之功率金氧半場效電晶體研究
〔碩士論文,逢甲大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6341/fcu.M0627915
王禮賜(2012)。
多重溝槽式超級接面金氧半場效電晶體設計
〔碩士論文,國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-0908201218204248
Ko, C. M. (2019).
運用自飽和低溫削蝕與完全金屬矽化源/汲極於垂直堆疊閘極全環多晶矽無接面奈米帶電晶體之研究
[master's thesis, National Chiao Tung University]. Airiti Library. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0030-0306202016383097
鐘俊逸(2015)。
低功率損耗670伏超級接面金氧半場效電晶體元件之微縮設計
〔碩士論文,國立中央大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0031-0412201512090863
龔士瑋(2019)。
BIDIRECTIONAL THREE-PHASE SWITCH-MODE RECTIFIER FED SWITCHED-RELUCTANCE MOTOR DRIVE WITH SUPERCAPACITOR ENERGY STORAGE SUPPORT
〔碩士論文,國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-0206202016173058
國際替代計量
溝槽式分離閘極功率金氧半場效電晶體結構及其結構概念設計超高崩潰耐壓複晶矽薄膜電晶體
篇名與作者
摘要與關鍵字
並列摘要與關鍵字
延伸閱讀
國際替代計量
未授權
本網站使用Cookies
為了持續優化網站功能與使用者體驗,本網站將Cookies分析技術用於網站營運、分析和個人化服務之目的。
若您繼續瀏覽本網站,即表示您同意本網站使用Cookies。
我知道了
隱私權聲明