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學位論文
氧化鋯鉿互補式堆疊奈米帶無接面電晶體及覆蓋氮化矽應變層之元件特性研究
Characteristics of Hafnium Zirconium Oxide Stack Nanosheet Complementary Junctionless FETs with Strained Silicon Nitride Capping Layer
鄭柏承
指導教授 :
楊炳章
;
林成利
逢甲大學/資電學院/電子工程學系/碩士(2020年)
https://doi.org/10.6341/fcu.M0707437
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關鍵字
氧化鋯鉿鐵電薄膜
;
堆疊奈米帶無接面電晶體
;
互補式 場效應電晶體
;
環繞式閘極
;
微波退火
並列摘要
無資料
並列關鍵字
HfZrO2 Ferroelectric Dielectric
;
Stacked Nanosheet Juntionless FET (NS JL-FET)
;
CFET (Complementary FET)
;
Gate- All-Around (GAA)
;
Microwave Annealing
延伸閱讀
蔡坤宏(2008)。
應用氮化閘鉿鋁氧化介電層及矽鍺通道以提升金氧半元件電特性之研究
〔碩士論文,國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2008.00423
凃伯璁(2014)。
具氮化鎵表面披覆層之空乏型氮化鋁銦/氮化鎵場效電晶體之直流與動態特性研究
〔碩士論文,國立中央大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0031-0412201512024008
林黃譽(2017)。
複合奈米結構與新穎奈米材料於氮化鎵發光二極體之研究
〔博士論文,國立交通大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0030-0705201811574491
李世鴻(2006)。
The Characterization and Electrocatalytic Properties of Mixed-valent Osmium Oxide /Hexachloroplantinate / Platinum Film and Ruthenium Oxide / Hexachloroiridate / Platinum Film and Copper Hexacyanoferrate / Platinum Film Modified Electrodes
〔碩士論文,國立臺北科技大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6841/NTUT.2006.00386
張世賢、廖振良、梁誠、張智堯、黃中人(2014)。
Effect of Vacuum Hot-pressed Sintering Temperature on the Microstructure and Electrical Properties of Nanostructured Cr_(50)Cu_(50) Alloy Targets
。
鑛冶:中國鑛冶工程學會會刊
,
58
(4),70-77。https://doi.org/10.30069/MM.201412_58(4).0006
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