- 學位論文
氮化鎵大電流高電子遷移率電晶體之設計與製作
Design and Fabrication of GaN High Current High Electron Mobility Transistors
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延伸閱讀
- 葉榮博（2014）。高功率氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之製作與分析〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2014.00147
- 王明展（2013）。氮化鎵高電子移動率場效電晶體功率半導體元件特性分析〔碩士論文，健行科技大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0022-1507201315344300
- Huang, W. H. (2011). 氮化鎵高電子移導率電晶體模型建立與被動混頻器設計 [master's thesis, National Tsing Hua University]. Airiti Library. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-0805201213341313
- Hsu, K. L. (2021). 軟性氮化鎵高電子遷移率電晶體之研製與電特性分析 [master's thesis, National Tsing Hua University]. Airiti Library. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-0209202114073948
- 林義峯（2009）。Fabrication and Study of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor〔碩士論文，國立虎尾科技大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0028-1707200900001100