- 學位論文
軟性氮化鎵高電子遷移率電晶體之研製與電特性分析
Fabrication and Electrical Characteristics Analysis of Flexible AlGaN/GaN HEMTs
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延伸閱讀
- Wang, W. K. (2006). 深次微米氮化鎵高電子移導率場效電晶體的製程開發與特性研究 [doctoral dissertation, National Central University]. Airiti Library. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0031-0207200917335891
- 金胤軒（2007）。氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率場效電晶體之製作與特性研究〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2007.10460
- 王明展（2013）。氮化鎵高電子移動率場效電晶體功率半導體元件特性分析〔碩士論文，健行科技大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0022-1507201315344300
- 尹新逸（2015）。Fabrication and Analysis of Enhancement Mode AlGaN/GaN MOSHEMTs Using Fluoride-based Plasma Treatment〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2015.00986
- 金利鋒（2020）。The Fabrication and Analysis of High Frequency AlGaN/GaN HEMT and MOSHEMT〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-2502202114203316