- 學位論文
高頻氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體與金氧半-高電子遷移率電晶體之製作與分析
The Fabrication and Analysis of High Frequency AlGaN/GaN HEMT and MOSHEMT
延伸閱讀
- 陳冠宇（2010）。高頻及高功率氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體製作與分析〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2010.00518
- 金胤軒（2007）。氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率場效電晶體之製作與特性研究〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2007.10460
- 林義峯（2009）。氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之製作與研究〔碩士論文，國立虎尾科技大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0028-1707200900001100
- 洪瑞宏（2013）。氮化鋁鎵/氮化鎵金氧半高電子遷移率場效電晶體之製作與特性研究〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2013.01403
- 羅禹傑（2021）。Fabrication and Analysis of AlGaN/GaN FinHEMTs〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU202103751