- 學位論文
利用Digital Etch改善準垂直型溝槽式閘極氮化鎵金氧半場效電晶體特性之研究
Investigation on Characteristics of Quasi-Vertical Trench Gate GaN MOSFET Treated with Digital Etch
延伸閱讀
- 方銘顗（2006）。利用不同界面處理以改善HfTaN閘電極金氧半電晶體之電特性〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2006.00151
- 林品澔（2020）。橫向溝槽式功率二極體/金屬氧化物場效電晶體與p型氮化鎵功率高速電子遷移率場效電晶體關鍵製程開發〔碩士論文，國立交通大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0030-0306202016402442
- Yu, C. J. (2018). 4H型U型溝槽式閘極金氧半場效電晶體特性之研究 [master's thesis, National Chiao Tung University]. Airiti Library. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0030-0205201911023388
- 黃稚銨（2011）。利用特性要因分析法改善場擴散金氧半場效電晶體製程〔碩士論文，國立交通大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6842/NCTU.2011.01128
- Han, T. Y. (2018). Fabrication of GaAs channel MOSFETs with Hetero-Epitaxial Ge Source/Drain [master's thesis, National Chiao Tung University]. Airiti Library. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0030-0205201911095352