由於近年研究發現微波加熱較傳統加熱有優勢,而材料的特性是決定微波加熱情況的關鍵,所以本論文我們建構了一個可以進行材料處理,以及量測材料特性的實驗系統,最高可以將SiC加熱到670℃。但因為常溫的材料特性是熟知的,而材料特性隨溫度的變化則不清楚,所以我們用了兩種腔體微擾法來量測材料SiC在不同溫度時的介電常數。用傳統的腔體微擾法量測,其優點是使用上較為方便,但缺點是適用性不廣泛,其要求材料的體積要遠小於腔體的體積,並且空腔的電場分布要相近於腔體內有材料的情況。所以我們提出另一個腔體微擾法,其適用的較為廣泛,沒有傳統的腔體微擾法的缺點,所以可以得到比較準確的數值。我們也做了實驗,運用兩種理論計算出不同溫度的SiC的介電常數,並進行比較,發現介電常數的實部結果差不多,但是介電常數的虛部則有顯著的差異,我們提出的方法有校正的效果。