本研究首先闡述單模微波共振腔的優勢,及其目前在熱測上的限制與挑戰,藉著耦合孔(coupling hole)的選擇對Q值及耦合的變化、外加金屬對電場的影響,來簡化共振腔的調變參數。為了更了解影響共振腔效能的參數,本文聚焦在共振腔的電場模擬分析、冷測結果,以期改善共振腔的操作限制,使微波與放置材料後的共振腔有最大耦合,不同於以往以上百瓦的功率進行微波加熱實驗,本研究嘗試以較低的功率進行微波加熱,但使其操作條件達臨界耦合,為了改善加入材料後,及方便熱測時使腔體Q值降低的缺陷,本研究利用外加金屬改變腔體結構來提高耦合。實驗選定的材料是處於高溫下化學性穩定、熱膨脹係數小的碳化矽,以熱力學與電動力學相關公式建立碳化矽能量方程式;以HFSS分析腔體內電場變化情形,並找出實驗調控最便利,且碳化矽內部電場耦合最佳的情況,進行熱測,建立碳化矽在各功率下的升溫曲線。對於微波加熱處理其他吸波能量較差的材料時,例如:非晶矽,則可使用碳化矽作為微波輔助吸收材。