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  • 學位論文

電磁場可控式之微波材料處理

The Microwave Heating Process of Controlled Electromagnetic Field

指導教授 : 張存續 朱國瑞

摘要


本研究首先闡述單模微波共振腔的優勢,及其目前在熱測上的限制與挑戰,藉著耦合孔(coupling hole)的選擇對Q值及耦合的變化、外加金屬對電場的影響,來簡化共振腔的調變參數。為了更了解影響共振腔效能的參數,本文聚焦在共振腔的電場模擬分析、冷測結果,以期改善共振腔的操作限制,使微波與放置材料後的共振腔有最大耦合,不同於以往以上百瓦的功率進行微波加熱實驗,本研究嘗試以較低的功率進行微波加熱,但使其操作條件達臨界耦合,為了改善加入材料後,及方便熱測時使腔體Q值降低的缺陷,本研究利用外加金屬改變腔體結構來提高耦合。實驗選定的材料是處於高溫下化學性穩定、熱膨脹係數小的碳化矽,以熱力學與電動力學相關公式建立碳化矽能量方程式;以HFSS分析腔體內電場變化情形,並找出實驗調控最便利,且碳化矽內部電場耦合最佳的情況,進行熱測,建立碳化矽在各功率下的升溫曲線。對於微波加熱處理其他吸波能量較差的材料時,例如:非晶矽,則可使用碳化矽作為微波輔助吸收材。

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參考文獻


[1].David M. Pozar, Microwave Engineering 3rd edition. New York:John Wiley & Sons
[4].John David Jackson, Classical Electrodynamics 3rd edition. New York: John Wiley & Sons.
[6].S.C.Fong, C.Y.Wang,T.H.Chang amd T.S.Chin, Crystallization of amorphous Si film by microwave annealing with SiC susceptor ” Appl. Phys. Lett. 94,102104 (2009)
[8].E.Jansen, R.Ziermann, E.Obermeier,G..Krötz, Ch.Wagner ,”Measurement of the Thermal Conductivity of Thin β-SiC Films between 80 K and 600 K”,Materials Science Forum Vols. 264-268 (1998) pp 631-634
[9].A.R. West, Solid state chemistry and its applications, John Wiley&Sons, 1989.

被引用紀錄


林容丞(2012)。微波材料處理與材料特性量測〔碩士論文,國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2012.00081
Chiu, T. H. (2010). 以微波加熱奈米碳管方式修補纖維強化複合材料 [master's thesis, National Tsing Hua University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6843/NTHU.2010.00294

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