不同能量與順序對於氫與氦離子共佈植於矽所引發表面發泡之比較研究

鍾志宏(Chih-Hung Chung)

指導教授 ： 梁正宏

國立清華大學/原子科學院/工程與系統科學系/碩士(2009年)

https://doi.org/10.6843/NTHU.2009.00179

摘要

本論文研究係旨於研究在相同佈植通量的情況下，不同佈植順序與不同氦離子能量對於氫與氦離子共佈植於矽 （100）試片表面發泡與發泡破裂現象的影響。特性的比較包括：佈植元素的縱深分佈、試片的表面發泡與發泡破裂現象、以及試片內部的微結構影像。所使用的量測分析儀器包括：動態光學顯微分析儀器、拉曼光譜儀、二次離子質譜儀、橫截面穿透式電子顯微鏡、以及原子力顯微鏡。研究結果顯示：試片表面發泡與發泡破裂現象和佈植順序以及氦離子能量息息相關，尤其，並非先行佈植氦離子即是最佳的佈植條件，而是欲佈植於試片較深處的元素必須先行佈植才是。此乃由於避免其所引發的輻射損傷受到第二階段佈植離子的擾動所致。本論文研究並進一步地選用發泡破裂程度最佳的試片進行矽薄膜轉移的接合處理，以獲致絕緣體上矽結構。研究結果顯示該試片確能成功將矽薄膜層轉移至二氧化矽片上，且矽薄膜層的表面十分平坦。

關鍵字

氫與氦離子共佈植 ； 表面發泡 ； 發泡破裂 ； 輻射損傷 ； 絕緣體上矽

參考文獻

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