本實驗主要為建立及穩定電性系統恆溫程式,藉此去了解材料的結晶動力學行為。然後再對不同厚度的GeSb9+Ox記憶膜進行恆溫及等升溫電性量測。實驗結果顯示,(1)恆溫部分:在結晶溫度下越低的溫度退火持溫,孕核時間會隨著氧原子摻雜量的增加而越長;而由JMAK plot所求得的動力學指數顯示,氧原子的摻雜確實會使GeSb9的結晶機制改變。(2)等升溫部分:記憶層厚度增加會使得相同濃度試片的結晶溫度下降,且隨氧原子摻雜量的增加,結晶溫度由較薄試片的維持定值而轉變為有上升的現象;結晶活化能隨氧原子摻雜量的增加有著和厚度較薄的情況完全相反的變化趨勢。