閘極偏壓對奈米流道內離子分布之影響

Gate Effects on the lonic Distribution in Nanofluidic Channels

柯思羽(Ssu-yu Ko)

指導教授 ： 周亞謙

國立清華大學/理學院/物理學系/碩士(2009年)

https://doi.org/10.6843/NTHU.2009.00462

摘要

本實驗利用SOI晶圓製作出含有奈米通道和閘極結構的元件，使用的半導體製程技術包含光學曝光微影、乾蝕刻、濕蝕刻、電子束微影和熱氧化等。其目的在於研究閘極偏壓是否會造成奈米通道內離子分布的改變。
基於電雙層的理論，我們知道氧化物在水溶液中表面會帶有一層負電荷，而這層負電荷會影響水溶液中的離子分佈，使得奈米通道以陽離子的傳輸為主，因此實驗中試圖施加不同的閘極電壓以改變表面電荷的電位。

關鍵字

電雙層 ； 奈米通道 ； 閘極效應

參考文獻

(20) 楊松鑫, “烷烴硫醇自組裝分子元件之電性分析”, 國立清華大學物理研究所碩士論文, 2008.

(26) 顏培峻, “以閘極效應控制DNA在氧化矽奈米孔的阻斷訊號”, 國立清華大學物理研究所博士論文, 2008.

(1) Jan C. T. Eijkel, Albert van den Berg, “Nanofluidics: What Is It and What Can We Expect from It?”, Microfluid Nanofluid, 249-267(2005).

(2) Jeffrey L. Perry, Satish G. Kandlikar, “Review of Fabrication of Nanochannels for Single Phase Liquid Flow, Microfluid Nanofluid, 185-193(2006).

(4) Alexandra Holtzel Ulrich Tallarek, “Ion Conductance of Nanopores in Microscale Analysis Systems: Where Microfluidics Meets Nanofluidics”, J. Sep. Sci. 30, 1398-1419, (2007).