本論文為研究矽(Silicon)單晶之X光三光繞射的色散效應,內容為在靠近矽K吸收邊能量(Si K-edge 1.839KeV) 時,利用多光繞射,配合動力繞射理論,觀察繞射峰在不同能量下強度及相位的變化,求得原子散射因子(atomic scattering factor)在靠近吸收邊所需做的修正,原子色散因子修正(corrections to the scattering factor) 。利用三光繞射對相位敏感的特性,來得到接近吸收邊的色散修正,利用此方法可以進而求得原子共振時精細結構。
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