化學機械拋光是半導體製程中達到全域平坦化最有效的方法,隨著大尺寸及小線寬的發展需求,其相關技術有提升與改善之必要性。 因此,本研究結合化學機械拋光中的修整與拋光兩者進行探討,以比較先進鑽石碟修整石墨與IC1000拋光墊、硬焊鑽石碟修整石墨與IC1000拋光墊四種修整器與拋光墊的搭配下,其修整率、試片的材料移除率、拋光時的摩擦力以及拋光墊表面形態的差異。本研究最終目的,是希望歸納出四組實驗的整體效能對製程改善的優劣性。 本論文最終結果顯示,石墨拋光墊的拋光液涵養量高,能有效將拋光液磨粒留在拋光界面中,提高磨粒與試片的接觸面積。而以先進鑽石碟修整的拋光墊表面情況良好,雖呈現的材料移除率偏低,但是整體製程穩定。