多晶鑽石碟薄化矽晶圓之破壞層研究

A study on the damage layer of thinning silicon wafer with PCD shaver

陳春宏(Chun-Hong Chen)

指導教授 ： 左培倫

國立清華大學/工學院/動力機械工程學系/碩士(2006年)

https://doi.org/10.6843/NTHU.2006.00440

摘要

多晶鑽石碟刮削矽晶圓的方式介於磨削與銑削之間，其多切刃且切刃體積小、切削後傾角大的特性類似磨削加工，而移除材料的模式則類似銑削加工。由於鑽石碟上切刃等高且形狀大小固定的特性，得以控制加工時切刃實際切入材料的深度。由於切深的控制，使鑽石碟能均勻地刮削矽晶圓，而得到均勻的表面。本論文以多晶鑽石碟作為薄化矽晶圓的刀具，在不同的切深下刮削矽晶圓，藉由顯微鏡觀察加工後矽晶圓的表面與次表面形貌，得到破壞層與切深的關係，並了解破壞層生成的模式與鑽石碟刮削矽晶圓的加工特性。

關鍵字

矽晶圓 ； 薄化 ； 變質層 ； 裂痕 ； 多晶鑽石碟 ； 硬脆材料

並列摘要

無資料

並列關鍵字

silicon wafer ； thinning ； deformed layer ； crack ； PCD

參考文獻

【1】廖錫田，矽晶圓薄化技術之研究，台灣大學博士論文，2005

【4】T. Matsuo、S. Toyoura、E. Oshima、and Y. Ohbuchi，「Effect of Grain Shape on Cutting Force in Superabrasive Single-Grit Tests」，Ann CIRP，1989，Vol.38 No.1，pp.323-326

【5】P.S. Sreejith and B.K. Ngoi，「Material removal mechanisms in precision machining of new materials」，International Journal of Machine Tools & Manufacture 41 (2001)，1831-1843

【11】B.R. Lawn and A.G. Evans，「A model for crack initiation in elastic/plastic indentation fields」，Journal of Materials Science，1977，pp.2195-2199

【12】B.R. Lawn and M.V. Swain，「Microfracture Beneath Point Indentation in Brittle Solids」，Journal of Materials Science，v10，1975，pp.113-122