多晶鑽石碟薄化矽晶圓之性能研究

A study on the performance of thinning of silicon wafer with PCD shaver

吳宣緯(Hsuan-Wei. Wu)

指導教授 ： 左培倫

國立清華大學/工學院/動力機械工程學系/碩士(2007年)

https://doi.org/10.6843/NTHU.2007.00703

摘要

本論文主要在探討以市面上薄化晶圓的粗磨、細磨參數，對矽晶圓進行薄化加工，並以實用化的角度討論之。在理論的建構上，建立多晶鑽石碟刮削矽晶圓的力學模型，推導切削力、切削能量的推論公式。可由公式推測其切削力與切削能量變化的趨勢。
實驗部份，以多晶鑽石碟進行晶圓薄化製程中的粗磨及細磨實驗，改變實驗參數如刀具進給、刀具與晶圓轉速等，發現藉由提升刀具進給與改變加工機台，可有效提升材料移除率各約3.73倍與11.43倍，達到可實用化的階段；而提升刀具晶圓轉速皆對晶圓表面破壞與表面粗糙度有正面的效果。進行細磨實驗，表面粗糙度與表面破壞降低，使用掃描式電子顯微鏡觀察試片後發現，以細磨製程參數進行加工，晶圓表面產生的變質層約6μm深。
另外進行磨耗實驗，以3D表面干涉儀觀察經過20片、40片晶圓切削後的鑽石碟刀刃高度，發現刀刃高度有些微降低。觀察晶圓表面，發現加工品質沒有太大變化；而切屑填塞的問題並不嚴重，鑽石碟仍保有完整的切削能力。

關鍵字

多晶鑽石碟 ； 晶圓薄化

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無資料

並列關鍵字

PCD ； Wafer Thinning

參考文獻

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