本研究是以較簡單的熱蒸發法成長奈米結構,先將純度99%的鋁粉與矽粉等莫耳混合後,進行高能量球磨12小時,之後置於管式爐中加熱,並通入Ar + 10 % H2的氣體以進行成長。實驗結果得知利用鋁矽合金粉末可以在氧化鋁基板、矽基板與球磨粉末上成長出三種奈米結構:氧化鋁奈米針、氧化鋁奈米尖板與氧化鋁奈米線。經由HRTEM分析得知,奈米針與奈米尖板為單晶氧化鋁;氧化鋁奈米線具有結晶構造,結晶有部分為雙晶且雙晶晶界幾乎垂直於奈米線成長方向。另外在粉末表面尚可發現有純鋁奈米線,經由選區繞射圖、EDS與計算面間距,驗證鋁奈米線確實存在。由於在奈米結構未發現催化顆粒,所以成長機制為VS機制,而不是VLS機制。CL量測結果發現奈米線在光譜圖中發現有2個峰值,分別為330 nm (紫外光) 和462 nm (藍光)。