- 學位論文
應用於快閃記憶體之非均等錯誤保護類循環低密度偶校碼
Unequal Error Protection QC-LDPC Codes for NAND Flash Memory
若您是本文的作者，可授權文章由華藝線上圖書館中協助推廣。
摘要
三階儲存單元快閃記憶體系統是由可儲存三位元的儲存單元所組成。相比於傳統 的單位元儲存單元快閃記憶體，將多位元資料存入一個儲存單元會導致較高的本 質位元錯誤率，進而影響整個儲存系統的可靠度。 在本論文中，我們擬針對非均等錯誤保護類循環低密度偶校碼於三階儲存單元快 閃記憶體的應用相關問題進行探討。我們首先回顧了既有的均等錯誤保護類循環 低密度偶校碼之構造及特性。整合了快閃記憶體錯誤機制並以數學方式提出內部 機率模型，從而計算出低密度偶校碼於解碼時會用到的可靠比。接著探討一種已 有的非均等錯誤保護類循環低密度偶校碼的建構方式，進一步配合我們的目標調 整使之更能運用在三階儲存單元快閃記憶體。利用此方式，我們建構出了一套非 均等錯誤保護類循環低密度偶校碼的建構方式，並對其效能進行模擬及理論上的 估測。最後將其應用於前述快閃記憶體的模擬當中，藉以驗證我們提出的建構方 式確實更能維持儲存系統的可靠性。
參考文獻
[2] S. Li and T. Zhang, “Improving multi-level NAND flash memory storage reliability
using concatenated BCH-TCM coding,” IEEE Trans. Very Large Scale Integr. (VLSI)
A. Visconti, “Statistical model for random telegraph noise in flash memories,” IEEE
Trans. Electron Devices, vol. 55, pp. 388–395, Jan. 2008.
telegraph noise effect on the programmed threshold-voltage distribution of flash
延伸閱讀
- 曾士家 (2011). 適用於快閃記憶體之(9216,8195)拉丁方陣低密度奇偶校驗碼解碼器 [master's thesis, National Chiao Tung University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6842/NCTU.2011.01150
- Chen, J. N. (2010). 用於非揮發性記憶體之低密度同位檢查編解碼器設計 [master's thesis, National Tsing Hua University]. Airiti Library. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-1901201111412930
- 吳承恩（2008）。適用於具有快速收斂之準循環低密度奇偶檢查碼解碼器的記憶體存取方式〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-2002201315055324
- Chen, C. W. (2008). 低密度偶校碼應用在快閃記憶體上的可行性分析 [master's thesis, National Tsing Hua University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6843/NTHU.2008.00118
- Yuan, M. H. (2019). Design and implementation of a 2KB EG-LDPC decoder for NAND Flash Memory [master's thesis, National Chiao Tung University]. Airiti Library. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0030-0306202016392107