使用磁控濺鍍法成長Zn3N2之材料特性分析

Characterization of Zn3N2 Prepared with reactive Sputtering

楊珮甄(PEI-CHEN YANG)

指導教授 ： 甘炯耀

國立清華大學/工學院/材料科學工程學系/碩士(2008年)

https://doi.org/10.6843/NTHU.2008.00240

摘要

在本研究中，我們使用四點探針量測與霍爾量測去了解Zn3N2 的電性，由量測中我們知道Zn3N2是n-type，並在某個條件下可得到最大的電阻率2.49Ωcm 與較低的載子濃度 3.903*1017 cm-3。並在工作瓦數為15 Watts，工作壓力為15 mtorr，Ar/N2=2/18，鍍膜時間為2 小時，能夠再現它的性質與可以在室溫下製程。結晶性質中我們知道它是多晶性質價態。光學性質方面，由它的吸收係數，知道它可能是直接能隙的型態，能隙位置大至由穿透光譜知道它的能隙是在900 nm-1100nm 附近，換算後判定其能隙在1.1 eV。

關鍵字

磁控濺度 ； 能隙 ； 氮化鋅 ； 載子濃度

並列摘要

無資料

並列關鍵字

sputtering ； bandgap ； Zn3N2 ； mobility ； carrier concentration

參考文獻

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