本研究是以較簡單的熱蒸發方式成長奈米結構,在坩堝的前端放置粉末,在後端放入基板,再將坩堝放入爐管內抽真空,升溫進行反應。實驗分為兩個部分來討論成長在粉末上的奈米線與成長在基板的奈米線。在粉末上成長奈米線,是使用高能量球磨等莫耳的鋁矽粉末,利用不同的冷卻速率來觀察,當 850℃ 持溫 1 小時後冷卻到 500℃ 花費 10小時的奈米產物的成分多樣,其中的鋁線有部分矽摻雜的現象。基板上成長奈米線的部分,先在基板上鍍上鋁,可以觀察到在鋁的區域比矽晶片的區域易成長奈米線,奈米線的成分是氧化鋁,並用不同的來源粉末去確認奈米線的成長來源是從粉末揮發過來的。