UV奈米壓印微影技術的製程發展

Process Development on UV Nanoimprint Lithography

傅啟俊(Chi-Chun Fu)

指導教授 ： 葉鳳生

國立清華大學/電機資訊學院/電子工程研究所/碩士(2007年)

摘要

隨著ULSI技術快速發展，積體電路所要求的密集度越來越高，根據2006年ITRS(International Technology Roadmap for Semicinductors)的微影製程中，元件關鍵尺寸小於32奈米以下正在開發研究的技術包含EUV、沈浸法、奈米壓印或ML2等方式。奈米壓印微影技術具有製程溫度低、產出速度快、製程壓力低、成本低與製程簡單等特性。UV奈米壓印製程重點包含模仁製作、光阻材料、奈米壓印與蝕刻實驗之研究探討。
首先，為了降低成本，本論文使用HSQ/ITO/Glass取代傳統quartz製作UV模仁，成功以低劑量(360μC/cm2)電子束直寫技術，搭配顯影濃度(6%)、蝕刻時間(10s)，使用步進式軟、硬烤方式使分別製作出width/space =1:10，線寬是70nmUV模仁。
UV奈米壓印實驗部份，以蒸鍍上脫膜劑(F13-TCS)的模仁，成功以室溫、壓印壓力595~870bar、壓印時間2~20分鐘將模仁上的圖形轉印在光阻(PAK-01-200)上，壓印後並使用波長300-370nm紫外光使其感光硬化，由SEM圖觀察轉印圖形變化，並從中挑選最佳壓印條件。
為完成Lift-off 技術之發展，接著本實驗選擇上述最佳壓印條件進行後續蝕刻實驗，並以SEM圖觀察蝕刻結果。最後為鋁蒸鍍實驗並完成lift-off製程，鋁奈米線線寬為140 nm與鋁線高度56 nm。

關鍵字

奈米壓印微影技術 ； 奈米結構模仁製作 ； 脫模劑 ； 蝕刻

並列摘要

無資料

並列關鍵字

UV nanoimprint ； Lift-off ； PAK ； HSQ mold ； nanoimprint

參考文獻

[1]T.S. Huck et al., Current Opinion in Solid State and

Materials Science, Polymers in nanotechnology, 6, 2002,

575, 1998

31, 2003

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