摘要
銦錫氧化物(ITO)雖然具有相當高的可見光穿透率且電阻係數低，使其成為 目前國內TFT-LCD 最常用的透明導電膜，但由於ITO 薄膜還是具有以下幾個缺 點：銦元素是屬於一種相當稀少而昂貴的金屬；且ITO 目前最普遍的製作方法 為濺鍍法，製程較為複雜成本較高，所以我們研究與ITO 一樣具有低電阻、高 穿透性且適用於低溫非真空方式製作薄膜的材料。 本實驗主要構想為採用低溫化學浴沈積法及化學鍍的方法在玻璃基材生產 ZnS/Ag/ZnS 多層膜來作為透明導電膜材料，用以取代現今的ITO 薄膜。實驗內 容主要探討NH4OH、ZnSO4、(NH4)2SO4、CS(NH2)2、N2H4 等各類試劑之用量、 反應溫度、沉積時間、沉積步驟等等各操作的變因對玻璃基材上生成之ZnS 薄 膜的影響；以及化學鍍浸泡時間對長Ag 薄膜的影響。 最後我們找出可沈積出表面相當均勻且組成良好的ZnS 薄膜，經過測量得 到其相對於玻璃的穿透度可高95%，但銀層方面我們無法利用化學鍍的方法做出 同時具有高穿透度及導電度的薄膜，所以我們無法做出具有高穿透度及低電阻值 的ZnS/Ag/Zns 多層薄膜。
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