摘要
在本實驗室傅睿涵學長之論文中，我們成功的利用銀奈米粒子的表面電漿共振 (Surface Plasmon resonance,SPR)，將市售的具有微米尺寸之釔鋁石榴石 (Y3Al5O12,YAG) 的螢光強度增強為1.25 – 1.5倍。然而表面電漿共振所引發之金屬增強螢光 (Metal-Enhanced Fluorescence, MEF) 現象需要金屬奈米粒子與螢光物質靠近至10 nm左右，又由於在文獻上已提出金屬奈米粒子與螢光發光物質足夠靠近後，不單單具有金屬增強螢光的性質，也存在著對於距離更敏感（小於5 nm時發生），且易造成螢光焠熄現象的螢光共振能量轉移 (Fluorescence Resonance Energy Transfer, FRET) 情形發生，因此本論文進一步針對奈米尺寸之YAG粒子以四乙氧基矽烷 (Tetraethoxysilane, TEOS) 搭配氨水進行鹼性催化水解，使TEOS分子間形成Si – O – Si鍵之網狀結構，便可於YAG顆粒上形成一可控制厚度之二氧化矽包覆膜，用來做為銀奈米粒子與YAG顆粒之間的隔離膜。並以穿透式電子顯微鏡影像以及奈米級歐傑電子能譜儀做縱深分析以確認包覆於YAG表面的二氧化矽層厚度，再以EDX做非破壞性的元素分析，比較包覆前後之YAG顆粒成分比例，最後搭配螢光放光光譜儀的量測結果，來選擇銀奈米粒子沉積的條件。 為了能夠於較惰性的二氧化矽表面有效沉積銀奈米粒子，特別利用無電極電鍍方法於二氧化矽表面形成Sn(II) 的還原點，再與氨銀錯合物反應，還原出銀奈米粒子，接著以穿透式電子顯微鏡觀測分布情形，以及奈米級歐傑電子能譜儀與EDX做表面成分分析，證明確實有銀的顆粒存在，再以螢光放光光譜的量測結果，推論出不單單只是將銀奈米粒子放置在與螢光放光物質具有一適當距離的位置即可有螢光增強的現象，還必須考慮到銀奈米粒子的尺寸所造成的電場增強之距離範圍，否則仍將會造成螢光的焠熄。因此將沉積於二氧化矽表面的銀奈米粒子進行再成長，然而以化學方式所能再成長的尺寸有限，因此銀奈米粒子的淨貢獻仍是造成焠熄情形，最後改用大尺寸市售銀奈米顆粒與包覆上二氧化矽層的YAG顆粒混合於PDMS薄膜中，成功於包覆厚度約12 nm時且添加銀奈米粒子的量為0.2 mg情況下達到1.06倍（相對於原始未包覆SiO2的YAG）及1.8倍（相對於包覆上SiO2之YAG粒子）的增強放光效果，此結果顯示銀奈米顆粒的表面電漿共振效應，確實可以造成YAG的螢光放光強度增強的效果。
參考文獻
延伸閱讀
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