透過您的圖書館登入
IP:3.15.171.202
  • 學位論文

高遷移率和量子井半導體奈米電子元件的三維模擬研究

Study of High Mobility and Quantum Well Semiconductor Nanoelectronics Devices by 3D TCAD Simulation

指導教授 : 吳永俊

並列摘要


參考文獻


參考文獻隱藏中

延伸閱讀