- 學位論文
以堆疊式電荷儲存層提升快閃記憶體元件操作特性研究
Improved Operation Characteristics of Charge Trap Flash Memory Devices by Engineering Stacked Trapping Layer
延伸閱讀
- 蔡政育（2010）。應用能帶工程電荷儲存層於電荷陷阱式快閃記憶體元件特性之研究〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2010.00111
- 李東諺（2015）。低溫成長介電層與堆疊垂直閘極對於無接面電荷儲存式快閃記憶體元件之特性研究〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-0312201510272341
- Chiao, M. L. (2013). 高效能快閃記憶體轉換層設計之研究 [doctoral dissertation, National Chiao Tung University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6842/NCTU.2013.00717
- 呂承勳（2013）。氮植入及能帶工程於電荷儲存層以增強電荷陷阱式快閃記憶體操作特性〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2013.00460
- 耿文駿（2009）。Application of SiGe Buried Channel on Electrical Characteristics of Charge-trapping Flash Memory Devices〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2009.00180