全氟五環素與鈷之介面結構及薄膜成長之探討

Film Growth and Interfacial Structure of Co/PerfluoroPentacene/Co

張旭廷(Hsu-Ting Chang)

指導教授 ： 李志浩 ； 許瑤真

國立清華大學/原子科學院/先進光源科技學位學程/碩士(2010年)

摘要

本實驗以PerfluoroPentacene(PFP)做為有機自旋閥結構中的有機層材料，藉著X光光電子能譜儀(XPS)、紫外光光電子能譜儀(UPS)、近緣X光吸收精細結構光譜(NEXAFS)、原子力顯微鏡(AFM)及磁光柯爾效應儀(MOKE)量測並探討有機自旋閥三層結構Co/PFP/Co中，PFP於Co的下電極介面及Co於PFP的上電極介面的電子特性、表面形貌、磁性質。
實驗結果顯示，下電極介面(PFP / Co)，PFP 5.3 eV的高游離能，使PFP-Co介面以電子做為傳輸載子。受PFP中F的影響生成的介面偶極，使PFP – Co介面能階不對齊，能階差為0.65 eV。磁滯曲線中矯頑磁場在蒸鍍2 Å PFP即發生改變，此趨勢與受PFP覆蓋程度影響的電性量測趨勢相異。磁性趨勢與電性趨勢有不同結果說明介面的影響可能不是造成磁性變化的關鍵因素。
上電極介面 (Co / PFP)，Co的蒸鍍會滲透進入有機層當中破壞PFP分子的堆疊模式，並且增加表面形貌的粗糙度。XPS、UPS數據顯示可能受滲透及PFP中F元素的影響使得介面產生化學鍵結。在磁性探討上，Co滲透PFP中使Co蒸鍍於PFP上出現磁滯曲線的厚度55 Å大於Co蒸鍍於Cr上時的20 Å；另外，由飽和磁化量及HC隨厚度的變化推測上下兩鐵磁層產生鐵磁性耦合。

關鍵字

全氟五環素 ； 五環素 ； 有機自旋閥

並列摘要

無資料

並列關鍵字

Perfluoropentacene ； Pentacene ； organic spin-valve

參考文獻

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