本實驗以熱蒸鍍法與原子層沉積製程合成出氧化鋁/氧化鋅核殼層奈米線,在退火後成功的得到鋁酸鋅奈米線。實驗結果顯示,不同退火溫度以及退火氣氛會影響奈米線表面形貌粗糙程度;奈米線內具有雙晶晶界,雙晶晶界的存在會影響氧化鋅與氧化鋁之間的擴散,進而造成奈米線球化情形的發生。藉由穿透式電子顯微鏡的分析,確認900 °C退火5小時後奈米線為單晶的尖晶石鋁酸鋅結構。由X光光電子能譜儀分析,發現在氬氣氣氛退火造成奈米線表面的產生大量氧缺陷,而在大氣下退火則能消除氧缺陷的存在。奈米線退火後的陰極發光光譜於330及380 nm的峰值為鋁酸鋅本身的能隙造成的訊號,而在氬氣退火後奈米線於640 nm 的峰值為氧缺陷所造成。在電學性質量測方面,奈米線在氬氣封管退火後電阻率約為105 μΩ-cm,電阻率的下降是因為奈米線氧空缺位置的電子提高了載子濃度。