以電漿輔助化學氣相沉積法在聚對苯二甲酸乙二醇酯基材製備氧化矽阻障層之研究

Investigations of SiOx-like diffusion barriers on PET deposited by PECVD

陳育成(Yu-Cheng Chen)

指導教授 ： 寇崇善

國立清華大學/理學院/物理學系/碩士(2010年)

摘要

摘要
本研究使用電漿輔助化學氣相沉積法(plasma-enhanced chemical vapor deposition，PECVD)，混合有機單體六甲基矽氧烷(Hexamethyldisiloxane，HMDSO)、氮氣及氧氣作為反應氣體在polyethyleneterephthalate (PET)上置備氧化矽阻障層(diffusion barrier)。探討單體流量、氣體流量、腔體壓力及偏壓大小，對二氧化矽/PET的複合膜水氣穿透率(water vapor transmission rate，WVTR)的影響。並利用傅氏轉換紅外線光譜儀(FT-IR)、化學分析電子儀(ESCA)、接觸角量測系統、橢圓偏光儀(ellipsometer)、掃描式電子顯微鏡(SEM)、紫外光-可見光光譜儀(UV-Vis)及原子力顯微鏡(AFM)分析膜材之物理及化學性質。最後討論化學結構及表面形貌與水氣穿透率關聯性。

關鍵字

阻障層 ； 電漿輔助化學氣相沉積法 ； 六甲基矽氧烷

並列摘要

無資料

並列關鍵字

Barrier ； PECVD ； HMDSO

參考文獻

18.潘彥儒博士論文，微波激發同軸慢波結構線型表面波電漿源之研究，2009年七月。

1.Steven M.D., Hotchkiss J.H., Packag. Technol. Sci. 15 (2002) 17.

2.Lee J.H., Jeong C.H., et al., Surf. Coat. Technol. 200 (2005) 680.

3.Burrows P.E., V. Bulovic, S.R. Forrest, Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 2922.

6.M.R. Pennel, Presentation in Plastic Electronics Conference, Frankfurt, 2005.