氮化銦表面電子結構研究

Electronic Structure of Indium Nitride Surface

林詩傑(Shih-Jie Lin)

指導教授 ： 果尚志

國立清華大學/理學院/物理學系/碩士(2010年)

https://doi.org/10.6843/NTHU.2010.00324

摘要

摘要
第一章前半部主要是背景介紹和文獻回顧，描述了氮化銦的材料特性和實際的應用價值，並點出目前氮化銦研究發展的情形和所遭遇的困境。第一章後半部則簡述氮化銦不同晶面的幾何結構，為後面第三章和第四章所提及的表面原子排列作事情的說明。
第二章為儀器和原理介紹，其中包含了同步光源的簡介、光電子能譜的物理原理和低能電子繞射儀的儀器架設和工作原理。
第三章為實驗內容，先說明表面處理技術的實驗流程和使用每個處理步驟的動機，接著以光電子能譜術、低能電子繞射儀和掃描式電子顯微術等量測方式釐清每個處理步驟的功用和確立整套處理技術的可行性和清潔效果。
第四章為實驗分析，在確定表面處理技術有效且不會破壞氮化銦表面後，以光電子能譜術和霍爾量測分析不同極化面之氮化銦本質上表面能帶彎曲的情形，再藉由元素當量分析定出不同表面處理後的樣品對應的表面原子排列，釐清表面能帶彎曲和表面原子排列的關係；最後從結構上的觀點，定性的給出一個表面能帶彎曲的解釋。
第五章為總結，把實驗的數據作一總體的歸納討論，並提出其我們研究成果的特殊之處。

關鍵字

氮化銦 ； 光電子能譜 ； 電子親和力 ； 表面能帶彎曲

參考文獻

[2] S. Nakamura, Science 281,956(1998)

[3] A. Tysgi et al, Appl. Phys. Express 1,091103(2008)

[4] S. Nakamura et al., J. Vac. Sci. Technol. A 13,705(1995)

[5]P. D. C. King et al., Appl. Phys. Lett. 91,092101(2007).

[6]H. Lu et al., Appl. Phys. Lett., 82,1736(2003).