本研究主要探討以SU-8作為高感光對比X光光刻光阻的可行性,並建立一套高效率、高精度的X光深刻技術,該技術可應用在各式微機械系統外,也將實際應用於高深度(2.54mm)的94GHz毫米波波源TE41模式轉換器。 由微機械加工方式所獲得的TE41模式轉換器,實際使用HP 8720C 網路分析儀所獲得的量測結果與使用“高頻結構模擬軟體”,High Frequency Structure Simulator (Ansoft HFSS 10.0)所模擬得到的結果相差10倍的銅損耗,由於此TE41模式轉換器的電磁波肌膚深度(skin depth)約為0.25μm,估計此損耗源自微機械加工表面粗糙度為次微米等級,表面粗糙度的不平整是為損耗來源的主因,研究結果發現以LIGA製程技術X光深刻SU-8光阻,藉由AFM量測光刻側壁,其表面粗糙度Ra~58nm。最後由電鑄並研磨至所需厚度2.54mm以及水刀移除SU-8光阻,使用LIGA製程技術確實可製作出W-band TE41模式轉換器。 未來邁向THz波源,其元件尺寸為次微米甚至到奈米等級,微機械加工方式不敷使用,需藉由LIGA製程技術製作奈米等級的模式轉換器、共振腔、光子晶體等,有其必要性與可行性。