以網版印刷及化學蝕刻方式製作具有局部背表面場之多晶矽太陽能電池

Fabrication of Multicrystalline Silicon Solar Cells with Local Rear Contacts by Using Screen-Printing and Chemical Etching Method

李昌珉(Chang-Min Li)

指導教授 ： 王立康

國立清華大學/電機資訊學院/光電工程研究所/碩士(2012年)

https://doi.org/10.6843/NTHU.2012.00105

摘要

本實驗研究分為三部分；第一，分別討論不同燒結溫度與時間，對多晶矽太陽電池的效率參數影響。 本實驗使用正面銀漿網版印刷以及背面鋁漿網版印刷分別以780℃15秒、20秒、25秒、30秒以及750℃、780℃、800℃、820℃25秒用方形高溫爐進行高溫共燒結，在高溫燒結下背鋁電極會形成一背表面電場(BSF)增加電子電洞對的收集率，並降低接觸電阻，探討不同燒結條件下產生的BSF厚度與效率特性參數的關係。而此部分實驗結果顯示780℃25秒為本實驗最佳的燒結條件。
第二，討論PERL結構多晶矽太陽電池背表面沉積的不同氮化矽薄膜厚度以及不同FGA退火溫度對太陽電池的鈍化效果。此部分實驗使用國家奈米實驗中新(NDL)的機台PECVD沉積氮化矽薄膜沉積厚度分別為130 nm、140 nm、150 nm以及國立中央大學微光電實驗室的爐管通入95%氮氣與5%氫氣分別使用350℃、375℃、400℃10分鐘進行鈍化層進一步的鈍化，並使用國家奈米實驗中心(NDL)的紅外線光譜儀(FTIR)量測氮化矽薄膜的矽氫鍵的吸收響應與國立中央大學的QSSPC量測少數載子生命時間(Lifetime)，藉此分析不同氮化矽薄膜厚度的鈍化效果以及不同FGA退火溫度的鈍化效果。實驗顯示140 nm的氮化矽薄膜，375℃10分鐘FGA的退火溫度有最佳鈍化效果。
第三，討論PERL結構片與參考片的各效率參數的差異，並量測QE分析結構片與參考片的EQE差異。結構片的效率為15.38%較參考片提升了2.4%。

關鍵字

多晶矽 ； 太陽能電池 ； 網版印刷 ； 化學蝕刻 ； 局部背表面場

並列摘要

無資料

並列關鍵字

Multicrystalline ； Solar Cells ； Screen-Printing ； Chemical Etching ； Local Rear Contacts

參考文獻

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