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學位論文
藍寶石基板氮化鎵之準垂直型PiN二極體 研製與特性比較
The Fabrication and Characterization of Quasi Vertical PiN GaN Diode on Sapphire
劉格成(Ko-Cheng Liu)
指導教授 :
黃智方
國立清華大學/電機資訊學院/電子工程研究所/碩士(2014年)
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於藍寶石基板之高功率氮化鎵 p-i-n二極體之研製
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施文忠(2004)。
藍寶石基板之乾式蝕刻及其應用於氮化鎵發光二極體之研究
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謝奇勳(2007)。
成長於圖案化藍寶石基板之氮化鎵發光二極體特性分析
〔碩士論文,國立中央大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0031-0207200917345555
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次微米圖樣化藍寶石基板應用於氮化鎵發光二極體之研究
〔碩士論文,中原大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6840/cycu201000944
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Fabrication and Study of Si-based GeSn p-i-n Photodiode
〔碩士論文,國立中正大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0033-2110201614033923
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