- 學位論文
低介電係數材料應用於銅導線內連接製程之電阻電容時間延遲研究
Study of Low-k Dielectric RC delay time of Cu Dual Damascene Interconnect
若您是本文的作者，可授權文章由華藝線上圖書館中協助推廣。
並列摘要
因申請專利緣故，資料延後公開
延伸閱讀
- Lee, S. C. (2011). 低介電係數材料應用於銅導線內連接製程之可靠度研究 [doctoral dissertation, National Chiao Tung University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6842/NCTU.2011.00076
- 林彥妙 (2012). 低溫脈衝電鍍製備法對銅奈米線的微結構和電性影響之研究 [master's thesis, National Tsing Hua University]. Airiti Library. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-2002201315282310
- 蘇武加（2010）。Ta-Si-C 非晶質擴散阻障應用於銅製程之特性研究〔碩士論文，國立虎尾科技大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0028-2008201016381700
- 羅聖全、開執中、陳福榮（2002）。影像能譜技術應用於銅金屬化製程內低介電常數材料之介電性質量測。材料科學與工程，34(4)，195-207。https://doi.org/10.6409/JMSE.200212.0195
- Salem, A. M., Gendy, Y. A. E., & Sakr, G. B. (2009). AC Conductivity and Dielectric Properties of Cu2HgI4. Chinese Journal of Physics, 47(6), 874-884. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=05779073-200912-200912250008-200912250008-874-884