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學位論文
以微波電漿化學氣相沉積低溫成長碳化矽
Low Temperature Growth of Silicon Carbide by Microwave Plasma CVD Process
邱如謙(Ru-Chien Chiu)
指導教授 :
李紫原
國立清華大學/工學院/材料科學工程學系/碩士(2013年)
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微波電漿化學氣相沉積
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碳化矽
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低溫
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氯基
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MICROWAVE PLASMA CVD PROCESS
;
SIC
;
LOW TEMPERATURE
;
CHLORINE-BASED
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延伸閱讀
邱裕升(2018)。
化學氣相沉積法低溫成長多晶碳化矽
〔碩士論文,國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-0410201815432820
詹勳偉(2007)。
使用Co-Mo-Mg催化劑以化學氣相沈積法成長奈米碳管
〔碩士論文,大同大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0081-0607200917242531
吳珮婕(2018)。
利用高壓釜水熱法合成碳點及其性質分析
〔碩士論文,逢甲大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6341/fcu.M0522697
梁廷賓(2007)。
使用Fe-Mo-Al催化劑以化學氣相沉積法成長奈米碳管
〔碩士論文,大同大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0081-0607200917242532
林澧亦(2016)。
A study on High-Speed Grinding of Silicon Carbide
〔碩士論文,國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-0901201710350242
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