- 學位論文
應用於氮化鋁鎵/氮化鎵金氧半高電子遷移率電晶體之MOS閘極研究
Study on MOS Gate for AlGaN/GaN MOS-HEMTs
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延伸閱讀
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- Chuang, Y. L. (2012). 氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體無金金屬化製程之研究 [master's thesis, National Chiao Tung University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6842/NCTU.2012.01081
- 張仁誠（2011）。氮化鋁鎵/氮化鎵金屬氧化物半導體高電子遷移率場效電晶體之研究〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2011.10921
- 李俊毅（2022）。Investigation of the E/D-mode p-GaN/AlN/AlGaN/GaN MOS-HEMT on GaN Substrate〔碩士論文，義守大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0074-0702202213040700
- 吳佳勳、鍾錦翰（2021）。P-GaN gate HEMT。光連：光電產業與技術情報，(159)，69-70。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=16822862-202103-202104070010-202104070010-69-70