應用於離子感應場效電晶體之自主裝單分子層/氧化層堆疊感測薄膜研究

The Study of SAMs/SiO2 Stacked Sensing Membrane for ISFETs

李子念(Tzu-Nien Lee)

指導教授 ： 陳建亨

國立暨南國際大學/科技學院/電機工程學系/碩士(2013年)

摘要

本論文研究運用自主裝單分子層/二氧化矽堆疊感測薄膜來改善離子感應場效電晶體之效能。在量測實驗結果中，可以發現我們成功的利用單分子自主裝層-APTES改善了感測薄膜特性；在EIS的量測結果中，堆疊式感測薄膜的結構，不論是感測靈敏度、遲滯和時漂都有改善；除此之外，ISFETs的感測靈敏度，也有大幅度的提升。未來將可以單分子自主裝層/二氧化矽堆疊式感測薄膜搭配奈米線多通道離子感應場效電晶體，來製作高感測度的離子感應場效電晶體。

關鍵字

離子感應場效應電晶體 ； 自主裝層 ； APTES

並列摘要

In this thesis, the SAM/SiO2 stacked sensing membrane was used to improve the sensing characteristic of ISFETs.
In our results, the sensitivity, hysteresis and drift of EIS with the SAM/SiO2 stacked sensing membrane were all improved. Besides, the sensitivity of ISFETs was also improved.
This technology will be suitable for the future high sensitivity ISFETs.

並列關鍵字

ISFETs ； SAMs ； APTES

參考文獻

[1] P. Bergveld, 1970, “Development of an Ion Sensitive Solid-State Device for Neurophysiological Measurement”, IEEE Trans. on Biomedical Engineering BME-17, PP.70-71

[2] 武世香、虞惇、王貴華，”化學量感測器，感測器技術”，第 1 期 (1990) 57∼62。

[3] B. D. Liu, Y. K. Su and S. C. Chen, “Ion-sensitive field-effect transistor with silicon nitride gate for pH sensing”, Int. J. Electronic, vol. 67, NO1, (1989)59-63.

[4] 物理雙月刊(二十八卷四期)

[5] 國家奈米元件實驗室 奈米通訊 14卷 NO.3