薄膜電晶體於13.56MHz軟性射頻電子標籤閘極跨接橋式整流器之設計

TFT Gate Cross-Connected Bridge Rectifier Design for 13.56MHz Flexible RFID Transponder Front-End

葉秦閣(hsieh chin kê)

指導教授 ： 陳永進

亞洲大學/資訊學院/電腦與通訊學系碩士班/碩士(2007年)

摘要

本論文討論利用TFT元件來設計RFID Transponder前端的整流器，主要是因為TFT製程技術及軟性電子技術的研發可降低標籤的成本，有助RFID電子標籤大量生產並推廣應用於各行各業。 整流器為被動式Transponder前端電路的關鍵元件，本文將針對傳統標籤整流原理及TFT元件電性進行分析探討，確認TFT取代傳統電晶體來設計標籤整流電路可行性，利用軟體Smart Spice進行電路模擬，找出影響標籤整流效率的因素，整理模擬結果並探討TFT元件替代MOSFET設計電子標籤前端整流電路的可能。

關鍵字

薄膜電晶體 ； 射頻辨識系統 ； 詢答機 ； 射頻電子標籤 ； 場效應電晶體

並列摘要

This paper discuss the rectifier circuit design of RFID Transponder front-end based on thin film transistor technology, which is a promising device for flexible electronics. This is mainly because flexible electronics can be made using a continuous roll-to-roll process and cut the cost as a result.
We simulate and analyze the performances of TFT-based gate cross- connected bridge rectifier by means of Smart Spice and compare with that using diode and MOSFET devices.
Parameters for high values of PCE was found and circuit layout has also been done.

並列關鍵字

TFT ； RFID ； Transponder ； Tag ； MOSFET

參考文獻

[11]高嘉駿,陳錦地，“場效電晶體有機半導體材料＂，中央研究院化學研究所。

[15]Yunlei Li, Jin Liu, “A 13.56MHz RFID Transponder Front-End with Merged Load Modulation and Voltage Doubler-Clamping Rectifier Circuits,” IEEE International Symposium on Circuits and Systems, Vol. 5, pp. 5095-5098, 2005.

[19]O. Shchekin et al, “13.56 MHz Organic transistor based Rectifier circuits for RFID tags”, MRS April 2005 abstracts. 48

[1]鄭同伯，RFID EPC無線射頻辨識完全剖析。台灣：博碩文化，2004年11月。

[2]陳宏宇，RFID 系統入門-無線射頻辨識系統。台北：文魁資訊，2004年12月。