延伸閱讀
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- Yu, M. H. (2013). 具有源極汲極應變矽鍺與嵌入式矽鍺通道之28奈米和下世代P型金氧半場效電晶體特性之研究 [doctoral dissertation, National Chiao Tung University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6842/NCTU.2013.00268
- Lin, S. J. (2010). 具不同Si-Cap厚度的SiGe源/汲極應變PMOSFETs之特性分析 [master's thesis, National Taipei University of Technology]. Airiti Library. https://doi.org/10.6841/NTUT.2010.00293
- 塗俊達（2006）。以SiGe製程實現新型負微分電阻元件與應用積體電路之設計〔碩士論文，崑山科技大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0025-0306200810414742
- 陳翰毓（2019）。以單一熱氧化製程步驟量身設計的SiGe側壁結構可同時形成成對的Ge量子點〔碩士論文，國立交通大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0030-0306202016392209