具粗化及高反射鏡面基板之高效率氮化鎵發光二極體之研製

Investigation of High-Efficient GaN Light-Emitting Diodes with Roughened Surfaces and High Reflectivity Mirror Substrate

洪瑞華(Ray-Hua Horng) ； 謝創宇(Chuang-Yu Hsieh) ； 廖子維(Tzu-Wei Laio) ； 武東星(Dong-Sing Wuu)

《光學工程》 103期 (2008/10) Pp. 22-29

https://doi.org/10.30011/OE.200810.0003

摘要

本文主要利用圖案化基板、雙面粗化(n-GaN, p-GaN)、並結合低溫黏貼技術將磊晶薄膜轉移於高反射鏡面之矽基板，進而製作具高散熱與高取光率之高效率氮化鎵發光二極體。文中將針對粗化製程對取光率之影響作一詳盡之探討。

關鍵字

圖案化基板 ； 雙面粗化 ； 磊晶薄膜轉移 ； 取光率

並列摘要

This paper utilizes the patterned substrate, double-sides roughening (n-GaN and p-GaN), and epilayer transferring technology to transferring the epilayer to high reflectivity mirror/Si substrate to fabricate the high thermal conductivity and high efficiency GaN light emitting diodes (LEDs). The effect of texturing process on the light extraction of LEDs will be discussed in detail.

並列關鍵字

patterned substrate ； double-sides roughening ； epilayer transferring technology ； light extractio