SPUTTER濺鍍AZO薄膜之特性分析

Characteristic Analysis of AZO Thin Films Grown by RF Sputtering

許能傑(Neng-Jye Hsu) ； 劉政諺(Zheng-Yan Liu) ； 范瑋程(Wei-Cheng Fan) ； 嚴浚凱(Jiun-Kai Yan)

《中華科技大學學報》 45期 (2010/10) Pp. 27-34

https://doi.org/10.7095/JCUST.201010.0027

摘要

氧化鋁鋅(Aluminum doped zinc oxide, AZO)薄膜具有良好導電性、高透明度、化學穩定性佳以及製作價格相對於錫氧化銦(Tin-doped indium oxide, ITO)便宜，且易於實現大面積鍍膜，在製作CIGS(Cupper Indium Gallium Selenium)太陽能電池當中，可望成為新一代透明導電材料，在本研究中利用RF Sputtering技術，調整不同製程参數，如氣體流量、濺鍍功率、基板溫度來進行AZO鍍膜，並利用膜厚量測、霍爾量測、AFM、XRD等量測對不同製程參數的AZO鍍膜來進行分析，本實驗最佳參數為基板溫度200℃、Ar 200 SCCM、濺鍍功率100W。

關鍵字

氧化鋁鋅 ； PF磁控濺鍍機

並列摘要

Aluminum doped zinc oxide (Aluminum doped zinc oxide，AZO) with good conductivity, high transparency, excellent chemical stability and price relative to production of indium tin oxide (tin-doped indium oxide, ITO) cheap, non-toxic, raw materials are abundant and easy to implement a large area coating, in the production of CIGS solar cell which is expected to become a new generation of transparent conductive material. RF Suttering is used to deposite AZO on SLG substrates, then combined use of Hall-effect measurement, SEM, AFM, XRD to provide useful data that are used for process optimization.

並列關鍵字

Aluminum doped zinc oxide ； PF ； Supttering