以電子束微影製作分閘於砷化鎵/砷化鋁鎵半導體系統上形成一維量子線之傳輸

Split gate fabrication by electron beam lithography on GaAs/AlGaAs system for 1D quantum wire conductance

蔡明巍(Ming-Wei Tsai)

指導教授 ： 張顏暉

國立臺灣大學/理學院/物理研究所/碩士(2005年)

https://doi.org/10.6342/NTU.2005.00461

摘要

在本論文中第一章會針對各種不同的電子束微影術, 以及電子束微影的鄰近效果 ( Proximity effect ), 還有分閘法所形成的量子線在許多論文當中所得到的結果做簡單的介紹.
第二章中會對一維系統的傳輸介紹其理論的基礎. 在第三章中會詳細敘述分閘法 ( split-gate method ) 的製作過程. 此方法需要繁複的製作流程與精確的參數控制, 方能製作出結構良好的樣品. 其中流程包括有光微影術, 金屬之蒸鍍與剝離, 回火, 第二次光微影與蝕刻來製作出有形狀之二維電子氣和金屬歐姆接點. 確定金屬接觸點與二維電子氣有形成良好的歐姆接點後, 再利用電子束微影, 電子顯微鏡觀察曝光結果和第二次金屬蒸鍍與剝離和電子顯微鏡觀察蒸鍍結果來精確地製作出根據不同樣品所需要的分閘區域.
樣品製作完成後, 以金屬接合 ( bonding ) 的方式將所有需要量測的金屬接點連接出來以便後續的電性量測. 最後再將樣品置入低溫 He3 系統以減低熱電子效應來觀察電子在同一次能帶 ( subband ) 或次能帶與次能帶之間的量子化傳輸現象. 分閘的形狀與間距, 二維電子氣的深度以及紅光照射的效應對一維傳輸平台的影響都會在本論文中做詳細的介紹.

關鍵字

分閘 ； 電子束微影 ； 量子線

並列摘要

無資料

並列關鍵字

split gate ； electron beam lithography ； quantum wire

參考文獻

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