本論文主要是利用有機金屬化學氣相沈積法(MOCVD)成長量子點的實驗,在確定磊晶參數,和成長速率後,在GaAs基板上成長以ZnS為包覆層的ZnTe量子點。 利用高解析度掃瞄式電子顯微鏡(HRSEM)去看我們的樣品中是否有量子點的存在於表面上。 接者在利用光致激發光譜(PL)量測我們的樣品,發現我們剛成長好的樣品發光強度會隨著時間decay,可能是因為剛長好的樣品中defects太多所以會有這樣的結果,後來也做了好幾次的分析,我們也發現會有不同的結果。 也利用陰極螢光光譜量測(CL)去量測我們的樣品,我們可以看到在CL的量測中,看到在PL量測中看不到的現象,同時知道defects對我們樣品的影響確實存在。