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學位論文
改善氮化銦鎵/氮化鎵發光二極體研究
An Improved InGaN/GaN Light Emitting Diode
吳柔萱(Jou-Hsuan Wu)
指導教授 :
鄭岫盈
國立宜蘭大學/電機資訊學院/電子工程學系/碩士(2013年)
https://doi.org/10.6820/NIU.2013.00118
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發光二極體
;
氮化銦鎵
;
多重量子井
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light-emitting diodes
;
InGaN
;
multiple-quantum well
延伸閱讀
張家睿(2019)。
發展氮化鎵系列發光二極體深度解析光學量測之研究
〔碩士論文,國立交通大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0030-0306202016380044
Lu, C. F. (2010).
氮化鎵發光二極體的發光效率改善
[doctoral dissertation, National Taiwan University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6342/NTU.2010.03519
曹家銘(2010)。
氮化鎵系列發光二極體特性改善之研究
〔碩士論文,崑山科技大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6828/KSU.2010.00049
Liu, H. H. (2014).
Improving the efficiency droop of InGaN/GaN blue light-emitting diodes
[doctoral dissertation, National Central University]. Airiti Library. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0031-0412201512025574
Tam, Y. Y. (2000).
Dual use of visible light-emitting diodes
[master's thesis, The University of Hong Kong]. Airiti Library. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0029-1812201200005792
國際替代計量
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