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研究生: 許智瑜
論文名稱: 紅熒烯/鈷雙層結構在矽(100)上的結構與磁性研究
Investigations of structures and magnetic properties of rubrene/Co bilayers on Si(100)
指導教授: 蔡志申
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 物理學系
Department of Physics
論文出版年: 2012
畢業學年度: 100
語文別: 中文
論文頁數: 160
中文關鍵詞: 紅熒烯磁光柯爾效應結構
論文種類: 學術論文
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  • 我們利用原子力顯微鏡(AFM)、磁光柯爾效應儀(MOKE)以及與外校合作的X光繞射儀,去探測磁控濺鍍的鈷(cobalt)與蒸鍍的紅熒烯(Rubrene)在矽(Si)(100)基板上的結構與磁性,首先第一部分探討單一種材料Co/Si(100)與Rubrene/Si(100)的磁特性、表面結構以及整體結構,鈷有hcp結構,紅熒烯有網狀結構且在450 K與550 K兩個溫度退火後,結構變差。再來第二部分兩種材料順序不同分成三組,第一組Co/rubrene/Si(100)、第二組中間Rubrene退火Co/Rubrene-550k/Si(100),以及第三組Rubrene/Co/Si(100)三組,磁特性與結構的不同,以及結構與磁性的相互影響。第一組與第二組矯頑力與表面粗糙度相關,表面粗糙度越大,矯頑力越大。第三組上層紅熒烯薄膜會衰減殘磁與飽和磁化量的強度。最後一部分由於應用元件常以多層膜方式來製作,可以增進由介面效應所引致的特殊磁特性,以及增進各磁性層間的交換耦合作用影響,第三部分分析多層膜(20 nm Rubrene/40 nm Co)7/Si(100)的磁性與結構,每一層鈷的結構再蒸鍍上紅熒烯後都會重新恢復平坦表面,且矯頑力更小。

    第一章 緒論 9 第二章 基本原理 11 2-1系統物性介紹 11 2-1-1矽(silicon) 11 2-1-2鈷(cobalt) 13 2-1-3紅熒烯(Rubrene) 15 2-2奈米薄膜製程與沉積原理 21 2-2-1奈米薄膜製程 21 2-2-2 薄膜沉積原理 22 2-3 磁性物質 26 2-3-1磁性物質的分類 26 2-3-2 磁化過程 35 2-4濺鍍 37 2-4-1濺鍍原理 38 2-4-2電漿(Plasma) 38 2-4-3電漿濺鍍(Plasma Sputtering) 39 2-4-4直流DC濺鍍(Planar Diode Sputtering) 40 2-4-5射頻濺鍍(RF Sputtering) 41 2-4-6自生偏壓效應 41 2-4-7磁控濺鍍(Magnetron Sputtering) 42 2-4-8其他改良型濺鍍槍 43 第三章 儀器設備與工作原理 44 3-1超高真空系統 44 3-1-1超高真空腔 44 3-1-2抽氣系統 45 3-1-3機械幫浦 (Rotary Pump) 45 3-1-4渦輪分子幫浦 46 3-1-5磁浮軸承 47 3-1-6氣體流量控制器 48 3-1-7壓力量測系統 48 3-1-8蒸鍍系統 49 3-1-9濺鍍系統 49 3-2原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope) 50 3-2-1原子力顯微鏡的起源 50 3-2-2原理 51 3-2-3儀器構造 52 3-2-4 原子力顯微鏡的種類 52 3-3掃描穿隧顯微鏡(STM) 53 3-3-1掃描穿隧顯微術起源 53 3-3-2基本原理 54 3-3-3 STM的取像方式 56 3-3-4實驗室所使用的“ easyScan” (STM) 57 3-4 大氣磁光科爾效應儀 59 3-4-1 磁光柯爾效應理論 59 3-4-2 磁光科爾效應儀器裝置 62 3-4-3 磁光柯爾效應儀操作 65 第四章 實驗結果與討論 69 4-1 實驗方法 69 4-1-1 樣品的製備與清潔 69 4-1-2 鈷薄膜表面結構與濺鍍速率 70 4-1-3 紅熒烯的表面結構與蒸鍍速率 83 4-2 鈷薄膜/紅熒烯薄膜/矽基底 93 4-2-1 鈷薄膜/紅熒烯薄膜/矽基底的表面結構與磁性趨勢分析 93 4-2-2 鈷薄膜/紅熒烯薄膜/矽基底的結果討論 108 4-3 鈷薄膜/紅熒烯薄膜-550 K退火/矽基底 111 4-3-1 鈷薄膜/紅熒烯薄膜-550 K退火/矽基底的表面結構與磁性趨勢分析 111 4-3-2 鈷薄膜/紅熒烯薄膜-550 K退火/矽基底的結果討論 129 4-4 紅熒烯薄膜/鈷薄膜/矽基底 133 4-4-1 紅熒烯薄膜/鈷薄膜/矽基底的表面結構與磁性趨勢分析 133 4-4-2 紅熒烯薄膜/鈷薄膜/矽基底的結果討論 147 4-5 (20 nm Rubrene/40 nm Co)7/Si(100),多層膜 150 第五章 結論 155 參考資料 157

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