摘要
因ITO表面與有機層間介面的狀態對元件的特性有一定程度的影響，故本實驗前處理製程中提出以UV光(波長350mm)照射與傳統氧電漿清洗方式來處理ITO表面並加以比較，最後選擇以氧電漿清洗為前處理製程。而後實驗是先製作小面積(active area 0.36平方公分)之元件藉此找出有機層膜厚最佳化，首先分別調整NPB與Alq3之有機薄膜層厚度，結果發現當NPB厚度為40nm且Alq3厚度為60nm時元件所測得之亮度為10400cd/平方公尺@10V，發光效率η=4.3cd/A@9V。之後又利用摻雜C6希望可更提高元件之發光特性，結果發現小發光面積元件最大發光亮度為11000cd/平方公尺@12V，發光效率η=5.2cd/A@11V。並將所得之最佳膜厚製作於大面積(active area 30.95平方公分)有機發光二極體元件上，得到最大發光亮度為379cd/平方公尺@10V，發光效率η=2.67cd/A@9V，但為使發光區域更均勻的發亮，故在ITO基板上先鍍上一層十字狀的Au(5nm)，使電洞能由陽極均勻的注入到整個發光區域，此時可測得元件最大發光亮度為3057cd/平方公尺@9V，發光效率η=12.047cd/A@9V。此外實驗中也利用OLED模擬軟體(ETFOS)模擬摻雜DCJT之紅光OLED元件，使其與實驗所測得之光譜圖比對，並搭配調整模擬中複合區位置使模擬與實驗結果相匹配，藉以了解元件中電子電洞複合區域之位置，結果證實發光區域位於NPB層與Alq3層之介面處。
被引用紀錄
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延伸閱讀
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