在射頻磁控濺鍍系統中,我們使用鉻(Cr)金屬,發現在特定的實驗參數下(Temp.=350℃、P=80 Watts、Ar/O2=10/10 (sccm)、W.P.= 10 mtorr 、Time=2 hr),會得到似板狀的奈米結構,經由X光結晶繞射鑑定其為Cr2O3,並利用穿透式電子顯微鏡作微結構分析,顯示每一片板狀結構都為單晶結構。由於Cr存在CrO3的氣體氧化態,溫度高於250℃時會揮發分解,在射頻磁控濺鍍系統中一定的氧含量時,會在靶材上形成一層CrO3,為濺鍍系統中的氧化靶材模式,此氧化層再經由電漿中的高能離子撞擊濺鍍出CrO3氣體分子,由於CrO3在腔體內為穩定氣體,成核速度(nucleation rate)很低,當溫度高於其分解溫度時,即在基板上產生分解形成Cr2O3,由於Cr2O3為Rhombohedral srtucture,其最低能量面造成結構異向性的成長導致板狀結構的生成。實驗中我們調變不同的實驗參數,會影響其成核速度(nucleation rate)及異向性成長速度(anisotropy growth rate),在其中選擇最理想的實驗參數。 實驗的第二部份我們在成功生長RuO2奈米柱的條件下,加入Cr濺鍍槍共濺鍍,看其對生成的RuO2奈米柱的影響,能否在不影響RuO2奈米柱的成長,成功長出含CrOx之RuO2的奈米柱。實驗結果發現,只有當Cr共濺鍍槍瓦數較低時,才能不影響RuO2奈米柱的成長。最後我們將成功長出含CrOx之RuO2的奈米柱作場發射,其場發射的效果會比單獨RuO2奈米柱的效果來的更好,證實少量的CrOx可以增強RuO2奈米柱的場發特性,其場發行為類似NEA(negative electron affinity)材料行為。