摘要 本論文主要研究材料縮減到奈米尺度時,操控、組裝和量測半導體奈米材料的方法,並成功發展出獨特的新式奈米操控術,能夠將選定的低維度奈米材料單一個地從成長基板或其他位置移動到指定的另一個絕對位置。我們可以利用這個操控方法組裝出以半導體奈米線材料為基本構成單元的電子或光電元件,並可對此類奈米電子元件做進一步的量測、研究與分析。在本篇論文中,除了說明、介紹並解釋奈米操控的方法、現象及問題,也描述了在組裝半導體奈米材料操控時所需使用的鎢針之蝕刻製作法和用來連結半導體的電極基板之準備、黃光微影、金屬蒸鍍及清洗的方式步驟。本論文中報告之成果包括成功製作出金屬與氧化鋅(ZnO)半導體奈米柱間良好歐姆接觸連結之一維導線,並由四點和兩點量測的方法下,對氧化鋅奈米柱電阻率做量測結果的分析與比較。本論文的其它成果包括操控分子束磊晶系統(MBE)成長的氮化鎵(GaN)奈米柱,並將其放置於定位電極或是微米玻璃球上,以及將其與硫化鎘(CdS)奈米帶組裝成交叉結構。最後在論文的結尾,提出了低維度半導體奈米材料未來更多可能的光學與電學研究方式。相信本論文中所開發的奈米操控術對未來用低維半導體奈米材料作為奈米電子或光電元件的基本構成單元可提供一個有趣的研究方向及方法。